| 型号： | BSZ100N06LS3 G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSZ100N06LS3 G PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets TDSON-8 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 23µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3GINTR SP000453672 |